绿色立方氧化锆晶体的生长方法
公开
摘要
本发明涉及的是一种采用冷坩埚法生长绿色立方氧化锆晶体的方法。其着色剂为氧化铜和氧化铥，经处理后，加在氧化锆和氧化钇的基质原料中，采用高频加热，获得立方氧化锆晶体，再经退火，即可获得高雅大方，光彩夺目的稀有人工绿色立方氧化锆晶体。
基本信息
专利标题 ：
绿色立方氧化锆晶体的生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1062179A
申请号 ：
CN91111945.0
公开（公告）日 ：
1992-06-24
申请日 ：
1991-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张莲花王文华崇志华
申请人 ：
天津市硅酸盐研究所
申请人地址 ：
300232天津市河北区京津公路198号
代理机构 ：
天津市第一轻工业局专利事务所
代理人 ：
胡凤梧
优先权 ：
CN91111945.0
主分类号 ：
C30B29/16
IPC分类号 ：
C30B29/16 C30B29/22 C30B15/00 C01G25/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
法律状态
1992-06-24 ：
公开
1992-06-03 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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