从多元氧化物体系生长复合晶体的方法
视为撤回的专利申请
摘要
自多元氧化物体系的熔体生长复合晶体的方法，该晶体至少有两个晶格位置，每个位置有不同数目的邻接氧离子，选择用作占据有最多数目的邻接氧离子的第一晶格位置的阳离子和占据其次较低数目的邻接氧离子的第二晶格位置的阳离子这样来生长均匀的复合晶体，以使第一晶格位置与第二晶格位置的阳离子键长之比的范围为0.7—1.5。
基本信息
专利标题 ：
从多元氧化物体系生长复合晶体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1045999A
申请号 ：
CN90101774.4
公开（公告）日 ：
1990-10-10
申请日 ：
1990-02-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
迪特尔·马蒂伊卡埃里希·福尔凯尔简·海斯马
申请人 ：
菲利浦光灯制造公司
申请人地址 ：
荷兰艾恩德霍芬
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
齐曾度
优先权 ：
CN90101774.4
主分类号 ：
C30B29/22
IPC分类号 ：
C30B29/22 C30B29/26 C30B29/28 C01F17/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/22
复合氧化物
法律状态
1992-12-02 ：
视为撤回的专利申请
1990-10-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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