温控机构、复合激光晶体生长系统及复合激光晶体的制备方法
实质审查的生效
摘要

本申请公开了一种温控机构、复合激光晶体生长系统及复合激光晶体的制备方法,属于激光晶体领域。该温控机构包括调节件、第一保温件和第二保温件。第一保温件的接触端具有第一过孔,第二保温件的接触端具有第二过孔;调节件分别与第一保温件和第二保温件连接,使得温控机构在第一温控状态和第二温控状态之间切换;第一温控状态下,第一保温件和第二保温件的接触端相接触,使得第一过孔和第二过孔适配对接形成籽晶杆过孔,同时使激光晶体的生长热场的温度梯度减小;第二温控状态下,第一保温件和第二保温件彼此分离,使激光晶体的生长热场的温度梯度增大。基于该温控机构,能够制备得到高质量的大尺寸YAP复合激光晶体。

基本信息
专利标题 :
温控机构、复合激光晶体生长系统及复合激光晶体的制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114351244A
申请号 :
CN202111638315.5
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2021-12-29
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
李兴旺芦佳王肖戬杨宇韩剑锋王永国
申请人 :
北京雷生强式科技有限责任公司
申请人地址 :
北京市朝阳区酒仙桥路4号11所南门
代理机构 :
北京三高永信知识产权代理有限责任公司
代理人 :
邢少真
优先权 :
CN202111638315.5
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  C30B29/22  C30B15/22  C30B15/04  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20211229
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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