一种晶体生长设备及晶体
授权
摘要
本申请公开了一种晶体生长设备及晶体，涉及晶体生长技术领域，解决现有技术中提拉法生长晶体过程中温度梯度变化导致晶体内部出现缺陷的问题。该晶体生长设备包括：生长炉，生长炉内具有生长炉腔；坩埚，设置于生长炉腔内，坩埚内可盛放晶体原料；感应线圈，设置于生长炉腔内，且围绕在坩埚外部；感应线圈驱动机构，与感应线圈连接，可在晶体生长的过程中，驱动感应线圈相对坩埚按照不同的速度向下移动。本申请方案能平稳调整坩埚与感应线圈的相对位置，以调整坩埚内液面上方的温度变化，使晶体生长界面的温度梯度与初始状态保持一致，为晶体生长提供持续稳定的温场环境，避免晶体生长产生缺陷，极大提高了毛坯良品率和材料利用率，降低了成本。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体生长设备及晶体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123056897.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-08
授权号 ：
CN216738630U
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
韩永飞王欣刘鹏涛
申请人 ：
北京滨松光子技术股份有限公司
申请人地址 ：
北京市丰台区南四环西路188号十一区18号楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123056897.4
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-06-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
