晶体生长炉的底部冷却部件及晶体生长炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶体生长炉的底部冷却部件及晶体生长炉,底部冷却部件包括:底盘和冷却组件,底盘采用导热金属;冷却组件包括多个水冷管套,多个水冷管套固定在底盘的底端,多个水冷管套自底盘的中部向外依次分布且呈同心排布,每个水冷管套均具有进水口和出水口,多个水冷管套各自独立,每个水冷管套的流量和流速中的至少一个被构造成可调节。由此,调控每组管套的水流量可以有效控制不同区域热量的分布,从而对长晶界面有明显的作用,W型界面也可以通过底部水冷盘的温度分布得到解决;而且使得底部热量分布更加可控,可以实现更多的界面形状,拓宽工艺窗口。此外,还具有结构简单、安装成本低廉、安装方便的优点。
基本信息
专利标题 :
晶体生长炉的底部冷却部件及晶体生长炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021259039.2
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-07-01
授权号 :
CN212865066U
授权日 :
2021-04-02
发明人 :
王全志
申请人 :
苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;包头阿特斯阳光能源科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市高新区鹿山路199号
代理机构 :
北京景闻知识产权代理有限公司
代理人 :
卢春燕
优先权 :
CN202021259039.2
主分类号 :
C30B28/06
IPC分类号 :
C30B28/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B28/00
制备具有一定结构的均匀多晶材料
C30B28/04
由液态制备
C30B28/06
正常凝固法或温度梯度凝固法
法律状态
2021-04-02 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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