一种用于硅晶体生长设备的水冷却装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种用于硅晶体生长设备的水冷却装置,包括箱体、水泵、反应炉和底座,所述底座顶端的一侧固定有箱体,所述导水管设置于冷凝管的内部,所述导水管的一侧固定有第一密封圈,且第一密封圈的一侧与箱体内部的一侧固定,所述导水管的外侧壁固定有第二密封圈,所述套筒设置于冷凝管和第二密封圈交结处的外侧壁。本实用新型通过在水冷却装置冷凝管的底端设置有回收结构,可以将导水管接入到冷凝管的内部,使得冷凝管内部通过的水流再次回到箱体的内部,避免了冷凝管内部通过的水流被排放掉造成水资源的浪费,该结构的设置很好的实现了水资源的循环利用,也为使用者节约了水的用量,提高了整体的实用性。

基本信息
专利标题 :
一种用于硅晶体生长设备的水冷却装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022200697.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-30
授权号 :
CN213357810U
授权日 :
2021-06-04
发明人 :
张新峰
申请人 :
如皋卓远中乌第三代半导体产业技术研究院(有限合伙)
申请人地址 :
江苏省南通市如皋市城南街道电信东1路6号
代理机构 :
北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人 :
孙腾
优先权 :
CN202022200697.0
主分类号 :
C30B29/06
IPC分类号 :
C30B29/06  C30B35/00  G10K11/16  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
法律状态
2021-06-04 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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