晶体生长装置和热等静压设备
授权
摘要
本实用新型涉及晶体生长技术领域，提供了一种晶体生长装置和热等静压设备。装置包括生长容器、端盖、密封件、泄放装置和紧固件，生长容器具有至少一个开口，开口与生长容器内空腔相连通；端盖覆盖开口，以与生长容器内形成生长腔室，端盖上设置有通孔，通孔与生长腔室相连通；密封件设置于生长容器和端盖之间，以将生长腔室密封，泄放装置设置于端盖上，并贯穿端盖以与生长腔室相连通；端盖和生长容器通过紧固件相连接。密封件阻断了生长腔室与外界可能相通的唯一路径，有效提高生长腔室的密封性。通过泄放装置可对生长腔室内部压力进行释放，起到保护生长装置的作用。
基本信息
专利标题 ：
晶体生长装置和热等静压设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020412043.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-27
授权号 ：
CN211999982U
授权日 ：
2020-11-24
发明人 ：
乔焜张新建林岳明高明哲
申请人 ：
上海玺唐半导体科技有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区文翔东路58号9幢1楼
代理机构 ：
广州华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
史治法
优先权 ：
CN202020412043.1
主分类号 ：
C30B7/10
IPC分类号 ：
C30B7/10 C30B29/38
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B7/00
常温液态溶剂之溶液，例如水溶液的单晶生长；用正常凝固法或温度梯度凝固法的入C30B11/00；在保护流体下的入C30B27/00）
C30B7/10
加压法，例如水热法
法律状态
2020-11-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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