本实用新型提供了一种晶体生长装置，涉及晶体培养设备技术领域，包括上保温筒和下保温筒，下保温筒用于容置坩埚，上保温筒用于形成晶体的生长空间，晶体生长装置还包括：第一加热装置和第二加热装置；第一加热装置设置于下保温筒上，第一加热装置用于对下保温筒内放置的坩埚进行加热，以对坩埚内的原料进行加热；第二加热装置设置于上保温筒内，第二加热装置用于对晶体进行加热。通过第一加热装置控制原料的温度，通过第二加热装置控制晶体的温度，从而可以满足镥铝石榴石系列晶体的各个生长阶段对晶体与熔体之间不同的温度梯度的要求，使得本实用新型提供的晶体生长装置可以生产出镥铝石榴石系列晶体。