晶体生长设备的提拉系统及晶体生长设备
授权
摘要
本发明公开了一种晶体生长设备的提拉系统及晶体生长设备,提拉系统包括:固定支架、籽晶轴和密封组件。籽晶轴为刚性件,密封组件设在固定支架上且套设在籽晶轴的下端,籽晶轴相对密封组件可上下移动且绕籽晶轴的中心轴线可转动,密封组件与籽晶轴的外周面之间限定出适于容纳润滑油的润滑间隙,密封组件上形成有与润滑间隙连通的第一进口和第一出口,润滑油适于从第一进口进入润滑间隙,并适于从第一出口流出润滑间隙。根据本发明实施例的提拉系统,籽晶轴的旋转和提升更为稳定,有利于晶体中原子的排列和生长,并且籽晶轴下端的密封组件能进一步使籽晶轴更加稳定运行,从而有效提升晶体生长质量。
基本信息
专利标题 :
晶体生长设备的提拉系统及晶体生长设备
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN112647124A
申请号 :
CN202011353627.7
公开(公告)日 :
2021-04-13
申请日 :
2020-11-26
授权号 :
CN112647124B
授权日 :
2022-06-03
发明人 :
袁长路苗江涛
申请人 :
徐州晶睿半导体装备科技有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
黄玉霞
优先权 :
CN202011353627.7
主分类号 :
C30B15/32
IPC分类号 :
C30B15/32 C30B15/30 C30B15/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/32
籽晶夹持器,例如籽晶夹头
法律状态
2022-06-03 :
授权
2021-04-30 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/32
申请日 : 20201126
申请日 : 20201126
2021-04-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN112647124A.PDF
PDF下载