感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置,属于激光晶体结晶工艺学领域;包括底部的陶瓷托盘和垫板,陶瓷托盘上设有陶瓷保温筒,陶瓷保温筒外侧设有感应线圈,陶瓷保温筒内侧设有ZrO2保温砖,垫板上面设有铱坩埚,且铱坩埚位于ZrO2保温砖的内侧,铱坩埚内装有熔体,陶瓷保温筒和ZrO2保温砖上端设有带有观察口的上保温筒和陶瓷观察挡板,且陶瓷观察挡板位于上保温筒观察口的外侧,铱坩埚上方设有籽晶杆,籽晶杆下端装有籽晶,籽晶下端位于熔体的上方,且籽晶杆、籽晶均位于上保温筒的内侧;本实用新型具有结构简单、温场稳定、装调方便、铱坩埚挥发轻、铱坩埚表面不受污染、使用寿命长等优点,并且相对投入小、功率低、生长成本低。

基本信息
专利标题 :
感应加热铱坩埚提拉法激光晶体生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820063602.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-05-30
授权号 :
CN201241194Y
授权日 :
2009-05-20
发明人 :
周世斌石全洲邓丽华王国强叶茂
申请人 :
成都东骏激光有限责任公司
申请人地址 :
611630四川省成都市蒲江县生态工业园兴隆路17号
代理机构 :
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 :
吴彦峰
优先权 :
CN200820063602.1
主分类号 :
C30B15/14
IPC分类号 :
C30B15/14  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2018-06-22 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : C30B 15/14
申请日 : 20080530
授权公告日 : 20090520
2010-07-28 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003592892
IPC(主分类) : C30B 15/14
专利号 : ZL2008200636021
变更事项 : 专利权人
变更前 : 成都东骏激光有限责任公司
变更后 : 成都东骏激光股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 611630 四川省成都市蒲江县生态工业园兴隆路17号
变更后 : 611630 四川省成都市蒲江县鹤山镇工业开发区
2009-05-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332