一种晶体生长坩埚
授权
摘要
本实用新型属涉及坩埚技术领域，尤其涉及一种晶体生长坩埚，现提出如下方案，其包括；所述的坩埚本体包含中心导热柱和隔热环；坩埚本体的底板内侧壁上设有平底凹槽；平底籽晶设置在平底凹槽内；坩埚本体的底部设有中心导热柱；中心导热柱与晶体生长设备的籽晶杆冷源相连；中心导热柱外壁上有隔热凹槽；隔热凹槽内设有隔热环；坩埚本体的中上部设有设有承载台阶；承载台阶的上表面设有高度调节环；高度调节环的上侧周边设有隔板；提高晶体的质量，提高生产效率。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体生长坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020812994.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-15
授权号 ：
CN212404351U
授权日 ：
2021-01-26
发明人 ：
廖永建张福亮周里华
申请人 ：
惠磊光电科技(上海)有限公司
申请人地址 ：
上海市嘉定区丰年路88弄8号20幢
代理机构 ：
上海精晟知识产权代理有限公司
代理人 ：
安曼
优先权 ：
CN202020812994.8
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00 C30B29/12
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2021-01-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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