碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置

专利申请权、专利权的转移

摘要

本实用新型提供了一种碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置，该碳化硅晶体生长用坩埚包括坩埚本体和石墨棒，所述坩埚本体具有容纳腔，所述容纳腔具有用于容纳碳化硅晶体生长原料的生长原料区；所述石墨棒设置在所述容纳腔内，并且所述石墨棒的至少部分位于所述生长原料区。石墨棒的设置能够避免坩埚本体的中部轴向区域形成大量的重结晶多晶碳化硅区域，提高生长原料的利用率，而且石墨棒还能够增强感应加热的热量分布，使得坩埚本体中的生长原料温度场分布更加均匀，进而有利于晶体的生长，从而解决了现有技术中碳化硅晶体生长原料的利用率低的技术问题。

基本信息

专利标题：

碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN201921527970.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2019-09-12

授权号：

CN210974929U

授权日：

2020-07-10

发明人：

徐良曹力力蓝文安朱卫祥阳明益刘建哲余雅俊

申请人：

浙江博蓝特半导体科技股份有限公司

申请人地址：

浙江省金华市南二环西路2688号

代理机构：

北京辰权知识产权代理有限公司

代理人：

董李欣

优先权：

CN201921527970.1

主分类号：

C30B23/00

IPC分类号：

C30B23/00 C30B29/36