一种碳化硅晶体生长用坩埚及装置
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摘要
本实用新型提供了一种碳化硅晶体生长用坩埚及装置，该坩埚包括:坩埚盖、第一坩埚体、第二坩埚体和连接装置，第一坩埚体和第二坩埚体通过连接装置连接形成内部腔体，连接装置包括多个可转动的隔板；多个隔板转动至多个隔板之间和隔板与腔体之间无空隙，则多个隔板隔断第一坩埚体和第二坩埚体；多个隔板转动至多个隔板之间和/或隔板与腔体之间有空隙，则第一坩埚体通过空隙与第二坩埚体连通。通过隔板隔断第一坩埚体和第二坩埚体，可使得晶体生长前期，第一坩埚体的气氛不能传输至第二坩埚体，多个隔板之间和隔板与腔体内壁之间的空隙，形成气体运输通道，对气氛运输起到导向作用，可有效减少晶体生长的缺陷，提高晶体生长的质量。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅晶体生长用坩埚及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021994413.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-11
授权号 ：
CN213142283U
授权日 ：
2021-05-07
发明人 ：
舒天宇王宗玉刘圆圆周敏黄治成
申请人 ：
山东天岳先进科技股份有限公司
申请人地址 ：
山东省济南市槐荫区天岳南路99号
代理机构 ：
北京君慧知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
冯妙娜
优先权 ：
CN202021994413.3
主分类号 ：
C30B23/00
IPC分类号 ：
C30B23/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
法律状态
2021-05-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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