本实用新型公开了一种多坩埚半连续式碳化硅晶体生长装置，包括具有第一腔体的第一主体、具有与第一腔体连通的第二腔体的第二主体、用于为第二腔体加热的加热机构、用于为第一腔体和/或第二腔体抽真空的抽真空机构、设于第一腔体中的用于承载多个坩埚的载体、设于第一腔体中的用于驱动载体运动的第一驱动机构、用于驱动坩埚逐一进出第二腔体的第二驱动机构；第一驱动机构用于驱动载体做间歇性运动，将多个坩埚依次输送至与第一腔体和第二腔体的连通处相对齐的第一位置处；第二驱动机构用于在载体停止运动时驱动第一位置处的坩埚使其进出第二腔体。本实用新型一种生长装置缩短了晶体生长时间，提高了生产效率，节约了能耗，有利于优质晶体的生长。