碳化硅晶体生长装置
授权
摘要
本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶体生长装置；碳化硅晶体生长装置包括坩埚和分隔组件，分隔组件设置于坩埚内，以将坩埚的内腔分为第一腔室和第二腔室；分隔组件包括分隔件和过滤件，分隔件和过滤件两者中的一者设置有装配区域，装配区域贯穿第一腔室和第二腔室；分隔件和过滤件两者中的另一者嵌设于装配区域。本实用新型的碳化硅晶体生长装置能够有效地减少进入第二腔室的杂质，有利于制备出高质量的碳化硅单晶晶体。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123076753.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
CN216514253U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
洪棋典蔡文必廖弘基袁文博
申请人 ：
福建北电新材料科技有限公司
申请人地址 ：
福建省泉州市晋江市陈埭镇江浦社区企业运营中心大厦
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
刘曾
优先权 ：
CN202123076753.5
主分类号 ：
C30B23/02
IPC分类号 ：
C30B23/02 C30B29/36 B01D46/30 B01D46/62
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B23/00
冷凝气化物或材料挥发法的单晶生长
C30B23/02
外延层生长
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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