一种新型碳化硅晶体生长装置
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
摘要

本实用新型公开了一种新型碳化硅晶体生长装置,包括炉体;所述炉体上侧安装有上盖,所述上盖中间位置设置有通孔,所述上盖上侧设置有籽晶杆,且籽晶杆底端穿过通孔伸入炉体内部,所述炉体外侧设置有外壳,所述外壳外侧安装有陶瓷外壳,所述炉体内部安装有加热板,所述加热板设置为石墨烯板,所述加热板通过固定栓固定在外壳内部,所述加热板与控制开关电性连接,所述控制开关安装在陶瓷外壳外侧,所述炉体内部低端安装有隔板,所述隔板底端安装有热保护器,且热保护器的探头穿过隔板伸入炉体内部,热保护器与加热板以串联的方式将进行连接。该实用新型在加工过程中,通过热保护器维持炉内的温度稳定,方便快捷,并且灵敏度较高。

基本信息
专利标题 :
一种新型碳化硅晶体生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920509278.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-04-16
授权号 :
CN210065979U
授权日 :
2020-02-14
发明人 :
郭士贤
申请人 :
深圳市优越新材料有限公司
申请人地址 :
广东省深圳市龙岗区宝龙街道宝龙社区宝龙五路2号尚荣科技工业园1号厂房201(D3区)
代理机构 :
深圳倚智知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
霍如肖
优先权 :
CN201920509278.X
主分类号 :
C30B29/36
IPC分类号 :
C30B29/36  C30B35/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2021-12-17 :
专利权质押合同登记的生效、变更及注销
专利权质押合同登记的生效IPC(主分类) : C30B 29/36
登记号 : Y2021980013641
登记生效日 : 20211130
出质人 : 深圳市优越新材料有限公司
质权人 : 深圳市高新投小额贷款有限公司
实用新型名称 : 一种新型碳化硅晶体生长装置
申请日 : 20190416
授权公告日 : 20200214
2020-02-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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