便于取料的碳化硅晶体生长炉
公开
摘要
本发明公开了一种便于取料的碳化硅晶体生长炉，包括生长炉，生长炉外侧设有支撑座，支撑座的上表面安装有C型架，C型架内壁固定连接有电机二和U型板，U型板内壁的相对侧限位转动连接有限位轴，电机二的输出端贯穿U型板并与限位轴一端固定连接，生长炉的顶部贯通连接限位管，限位管的上表面贴合连接有保护管，保护管内设有限位盘，限位盘的上表面固定连接有钢缆，钢缆的远离限位盘的一端与限位轴固定连接，限位盘的下表面固定连接有固定块，固定块的下表面固定连接有晶棒，保护管的顶端贯通连接在C型架的底部，通过限位盘带动晶棒进入保护管，并在齿盘一和齿盘二的带动下脱离生长炉，达到方便将生长炉内结晶后的晶棒安全取出的效果。
基本信息
专利标题 ：
便于取料的碳化硅晶体生长炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114574976A
申请号 ：
CN202210221498.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2022-03-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
田野吴亚娟
申请人 ：
徐州美芯半导体材料科技有限公司;江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市金山桥开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210221498.9
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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