本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长装置，包括保温层、第一坩埚、第二盖体、第二坩埚、支撑结构和加热结构。保温层的顶部开有喇叭口。第一坩埚包括第一坩埚本体和安装于第一坩埚本体上端的第一盖体。第二盖体与第一坩埚的内底面之间形成用以容纳碳化硅源的第一腔体，第二盖体为多孔石墨材质。第二坩埚内形成用以容纳碳化硅源的第二腔体，第二坩埚为多孔石墨材质。第二坩埚位于第二盖体上侧。支撑结构位于第二盖体与第二坩埚之间，以支撑第二坩埚。与现有技术相比，本实用新型通过设置高度不同的第一腔体和第二腔体，并在不同的长晶时期选择不同的温度分布，能够增加生长原料的装料量，延长长晶时间，增加晶锭厚度。