一种大尺寸碳化硅晶体生长装置
授权
摘要

本实用新型公开了一种大尺寸碳化硅晶体生长装置,包括第一腔体和第二腔体、可沿上下方向活动的穿设于第一腔体和第二腔体中的坩埚、下端连接在坩埚顶部且上端穿出第二腔体的坩埚轴、设于第一腔体中的加热机构和保温机构、开设于第一腔体上和/或第二腔体上的抽气口和充气口;加热机构机构包括上下间隔分布的上加热电阻和下加热电阻;上加热电阻由设于坩埚上方的第一圆盘和围设于坩埚上侧周部的第一筒体组成;下加热电阻为设于坩埚下方的第二圆盘或由第二圆盘和围设于坩埚下侧周部的第二筒体组成。本实用新型大尺寸碳化硅晶体生长装置,坩埚上部和下部不仅可以获得均匀的横向温度,还能够获得精确的纵向温度梯度,满足大尺寸晶体生长工艺温度要求。

基本信息
专利标题 :
一种大尺寸碳化硅晶体生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921155264.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-07-22
授权号 :
CN210287584U
授权日 :
2020-04-10
发明人 :
李留臣周正星
申请人 :
江苏星特亮科技有限公司
申请人地址 :
江苏省苏州市张家港市杨舍镇东莱东黎路8号(星特亮)
代理机构 :
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 :
刘鑫
优先权 :
CN201921155264.9
主分类号 :
C30B29/36
IPC分类号 :
C30B29/36  C30B23/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2020-04-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN210287584U.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332