一种大尺寸碳化硅晶体生长水冷却装置
授权
摘要
本实用新型涉及碳化硅生长技术领域，且公开了一种大尺寸碳化硅晶体生长水冷却装置，包括反应室。该大尺寸碳化硅晶体生长水冷却装置，通过水泵和制冷片，当坩埚内装有SiC粉料及籽晶的坩埚放入隔热夹套内侧，即可关闭密封盖，可拉伸连接弹簧，然后使支撑连接块带动卡块向限位块底部运动，即可使密封盖底部与反应室顶部紧密贴合，再通过真空泵对反应室内部进行真空抽气使反应室内部稳定达到一定值，使反应室内部温度进行升高后籽晶长出晶体后，使其通过进水管和出水管从水箱内抽出被制冷片制冷过的水到蓄水仓内，而蓄水仓前后两侧和左右两侧以及底部均与坩埚贴合，从而可对坩埚快速降温退火，达到冷却效率高的效果。
基本信息
专利标题 ：
一种大尺寸碳化硅晶体生长水冷却装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921543597.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
CN210796698U
授权日 ：
2020-06-19
发明人 ：
张新峰王炜
申请人 ：
江苏卓远半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市如皋高新区城南街道电信东一路6号
代理机构 ：
成都明涛智创专利代理有限公司
代理人 ：
丁国勇
优先权 ：
CN201921543597.9
主分类号 ：
C30B29/36
IPC分类号 ：
C30B29/36 C30B15/00 C30B33/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2020-06-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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