一种大尺寸碳化硅晶体生长真空装置
授权
摘要
本实用新型涉及碳化硅单晶生长技术领域，且公开了一种大尺寸碳化硅晶体生长真空装置，包括保温桶和合页，所述保温桶的右侧底部固定安装有延伸至保温桶内部的加热管，所述保温桶的内腔左侧壁底部固定安装有温度传感器，所述保温桶的顶部固定安装有伺服电机，伺服电机的输出轴处固定安装有贯穿且延伸至保温桶内部的转轴，转轴的底部固定安装有丝杆，丝杆的外部套接有套管，套管与丝杆螺纹连接，套管的左右两侧均固定安装有转动杆，转动杆的顶部放置有贯穿且延伸至转动杆底部的放置盒。该大尺寸碳化硅晶体生长真空装置，在空气运动的同时碳化硅晶体一下进行上下移动，从而使得高温空气与碳化硅晶体更好的接触，使得碳化硅晶体可以更好的成长。
基本信息
专利标题 ：
一种大尺寸碳化硅晶体生长真空装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921544716.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
CN211057277U
授权日 ：
2020-07-21
发明人 ：
张新峰王炜
申请人 ：
江苏卓远半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市如皋高新区城南街道电信东一路6号
代理机构 ：
成都明涛智创专利代理有限公司
代理人 ：
丁国勇
优先权 ：
CN201921544716.2
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-07-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
