一种碳化硅晶体生长装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长装置。该种碳化硅晶体生长装置包括：底板；外套筒，外套筒设置于底板上端；内套筒，内套筒设置于底板上端，内套筒还设置于外套筒内部；上盖，上盖设置于外套筒与内套筒上端，上盖与底板配合使得外套筒与内套筒之间形成密封的腔室一、使得内套筒的内部形成密封的腔室二；电感线圈，电感线圈环绕内套筒并设置于腔室一中，抽真空装置，抽真空装置与腔室一及腔室二连通。通过内套筒与外套筒形成双层密封结构，提高了腔室二中环境的稳定性，更有利于晶体的生长，并且通过抽真空装置能够进一步将腔室二泄漏致腔室一中的气体排出，减少了气体对环境的影响。
基本信息
专利标题 ：
一种碳化硅晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020309250.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-03-12
授权号 ：
CN211771662U
授权日 ：
2020-10-27
发明人 ：
刘欣宇袁振洲
申请人 ：
江苏超芯星半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市仪征市经济开发区闽泰大道9号A5栋
代理机构 ：
北京轻创知识产权代理有限公司
代理人 ：
潘云峰
优先权 ：
CN202020309250.4
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/36
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-10-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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