碳化硅晶体生长设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种碳化硅晶体生长设备，包括：配电模块；晶体生长模块，所述晶体生长模块与所述配电模块沿第一方向间隔开排布，所述晶体生长模块与所述配电模块之间通过电连接线相连；线束固定模块，所述线束固定模块连接在所述配电模块和所述晶体生长模块之间以用于固定所述电连接线，所述线束固定模块包括第一管段和第二管段，所述第一管段和所述第二管段滑移配合以使得所述线束固定模块在所述第一方向上的长度可调。根据本实用新型的碳化硅晶体生长设备，通过设置长度可调的线束固定模块，便于实现对配电模块和晶体生长模块之间的电连接线的固定，安装方便，且对场地的适应性强。
基本信息
专利标题 ：
碳化硅晶体生长设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123171478.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-16
授权号 ：
CN216663296U
授权日 ：
2022-06-03
发明人 ：
燕靖吴建吴亚娟
申请人 ：
江苏集芯半导体硅材料研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济技术开发区软件园E1楼669室
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202123171478.5
主分类号 ：
C30B25/00
IPC分类号 ：
C30B25/00 C30B23/00 C30B28/14 C30B28/12 C30B29/36
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B25/00
反应气体化学反应法的单晶生长，例如化学气相沉积生长
法律状态
2022-06-03 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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