用于晶体生长的碳化硅表面的制备方法

专利权的终止

摘要

本发明是在一块单晶碳化硅晶体上形成一个基本的平表面的方法，将基本的平表面暴露在腐蚀性等离子体中，直至任何因机械制备该表面而引起的表面或表面下的损伤基本上被消除。然而，腐蚀是有限的，持续时间不超过在表面上等离子腐蚀发展新缺陷或者使现有缺陷恶化所要的时间，同时采用等离子体气体和电极系统，它们本身不会在表面中恶化或者引起显著的缺陷。

基本信息

专利标题：

用于晶体生长的碳化硅表面的制备方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1050949A

申请号：

CN90108281.3

公开（公告）日：

1991-04-24

申请日：

1990-10-11

授权号：

CN1030674C

授权日：

1996-01-10

发明人：

约翰·W·帕穆尔华双·孔约翰·A·爱德蒙

申请人：

克里研究公司

申请人地址：

美国北卡罗来纳州

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

段承恩

优先权：

CN90108281.3

主分类号：

H01L21/205

IPC分类号：

H01L21/205 H01L21/306

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L21/00

专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备

H01L21/02

半导体器件或其部件的制造或处理

H01L21/04

至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层

H01L21/18

器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料

H01L21/20

半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长

H01L21/205

应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积

法律状态

2010-12-15 ：

专利权的终止

专利权有效期届满号牌文件类型代码 : 1611
号牌文件序号 : 101022881969
IPC(主分类) : H01L 21/205
专利号 : ZL901082813
申请日 : 19901011
授权公告日 : 19960110
期满终止日期 : 20101011

2002-04-24 ：

其他有关事项

2000-11-29 ：

著录项目变更

变更事项 : 专利权人
变更前 : 克里研究公司
变更后 : 克里公司

1996-01-10 ：

授权

1993-01-06 ：

实质审查请求的生效

1991-04-24 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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1、

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