一种碳化硅晶体生长用输送装置
实质审查的生效
摘要

本发明属于输送装置技术领域,具体涉及一种碳化硅晶体生长用输送装置,本碳化硅晶体生长用输送装置包括:进料机构、混料机构、气体注入机构、第一反应釜、第二反应釜和出料机构;混料机构对物料进行过滤、混料;气体注入机构进行抽气、注入反应气体,物料通过出料机构输出至相应储存罐内;本发明通过设置进料机构、混料机构能够对物料进行预混料,将物料混合充分后进入相应反应釜后进行反应,能够使反应更加长时间充分稳定,以提高反应效果及生产效率,同时设置气体注入机构能够使反应釜处于良好的反应环境,实现自动化出料,在第二反应釜内液面上方设置热容较大的移动低温冷块来实现固液界面的温度梯度调控,有助于籽晶上快速稳定结晶。

基本信息
专利标题 :
一种碳化硅晶体生长用输送装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114318541A
申请号 :
CN202210215031.3
公开(公告)日 :
2022-04-12
申请日 :
2022-03-07
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
陆敏刘付冠郑红军
申请人 :
常州臻晶半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区武宜南路377号19号厂房一层东
代理机构 :
常州市科谊专利代理事务所
代理人 :
钮云涛
优先权 :
CN202210215031.3
主分类号 :
C30B29/36
IPC分类号 :
C30B29/36  C30B35/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-04-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/36
申请日 : 20220307
2022-04-12 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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