一种碳化硅晶体生长用输送系统
授权
摘要
本发明属于输送系统技术领域,具体涉及一种碳化硅晶体生长用输送系统,本碳化硅晶体生长用输送系统包括:第一反应釜、丝杆机构、活动盘、安装盘、破碎机构、搅拌机构和输送机构;其中活动盘在纵向移动过程中在丝杆机构上转动,即安装盘带动破碎机构对储存腔内块状物料进行破碎;安装盘带动搅拌机构对储存腔内物料进行搅拌,并使物料朝向破碎机构收拢;本发明中安装盘不仅能够转动还能纵向移动,从而实现搅拌机构将物料搅拌均匀,破碎机构能够起到研磨物料的作用,在第二反应釜内通过降低助溶剂的粘度或增加籽晶杆转速来实现碳溶解的有效溶解及输运,并通过对籽晶生长面浸润处理或者降低生长气压来解决气泡夹杂物问题。
基本信息
专利标题 :
一种碳化硅晶体生长用输送系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114232106A
申请号 :
CN202210184904.9
公开(公告)日 :
2022-03-25
申请日 :
2022-02-28
授权号 :
CN114232106B
授权日 :
2022-05-17
发明人 :
陆敏刘付冠郑红军
申请人 :
常州臻晶半导体有限公司
申请人地址 :
江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区武宜南路377号19号厂房一层东
代理机构 :
常州市科谊专利代理事务所
代理人 :
钮云涛
优先权 :
CN202210184904.9
主分类号 :
C30B35/00
IPC分类号 :
C30B35/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-05-17 :
授权
2022-04-12 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 35/00
申请日 : 20220228
申请日 : 20220228
2022-03-25 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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