碳化硅晶体生长车间用排气装置及排气系统
专利申请权、专利权的转移
摘要

本实用新型涉及车间排气领域,具体涉及一种碳化硅晶体生长车间用排气装置,所述碳化硅晶体生长车间包括用于支撑房顶的纵横交错的房梁,房梁与房顶形成多个凹面区域,包括于所述碳化硅晶体生长车间外设置的抽风机构以及于所述碳化硅晶体生长车间内设置的排气管,其中,所述排气管的一端位于所述碳化硅晶体生长车间内,所述抽风机构与所述排气管的另一端连接,用于将所述排气管内的气体排出所述碳化硅晶体生长车间外;所述排气管与所述凹面区域连通,所述排气管上间隔开设有若干个抽气孔。本实用新型通过与所述凹面区域连通的排气管,使得房顶各个角落的气体被排出所述碳化硅晶体生长车间外,避免了大量的氢气聚集造成的安全隐患。

基本信息
专利标题 :
碳化硅晶体生长车间用排气装置及排气系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201921474561.X
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-09-05
授权号 :
CN210636097U
授权日 :
2020-05-29
发明人 :
徐良曹力力蓝文安占俊杰阳明益朱卫祥刘建哲余雅俊
申请人 :
浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
申请人地址 :
浙江省金华市南二环西路2688号
代理机构 :
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 :
董李欣
优先权 :
CN201921474561.X
主分类号 :
C30B29/36
IPC分类号 :
C30B29/36  C30B35/00  
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/36
碳化物
法律状态
2022-04-29 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 29/36
登记生效日 : 20220418
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 浙江博蓝特半导体科技股份有限公司
变更后权利人 : 浙江富芯微电子科技有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 321000 浙江省金华市南二环西路2688号
变更后权利人 : 321000 浙江省金华市婺城区秋滨街道南二环西路2688号3#厂房(自主申报)
2020-05-29 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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