一种大尺寸碳化硅晶体生长热场装置
授权
摘要
本实用新型涉及碳化硅晶体生长技术领域，且公开了一种大尺寸碳化硅晶体生长热场装置，包括底座，所述底座的顶部固定安装有保温桶，所述底座的顶部固定安装有位于保温桶内部的热场加热器，所述底座的顶部活动安装有位于热场加热器内部的第一坩埚，所述第一坩埚的内部活动安装有第二坩埚，所述保温桶的顶部固定安装有顶板，所述顶板的顶部铰接有数量为两个的活动板，两个所述活动板的内部均活动安装有活动管，右侧所述活动管的左侧固定安装有喷嘴，左侧所述活动管的右侧固定安装有抽水接头。该大尺寸碳化硅晶体生长热场装置，操作简单，便于使用者对该热场装置进行清洗，有效增加了使用者的清洗效率。
基本信息
专利标题 ：
一种大尺寸碳化硅晶体生长热场装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921543668.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-09-17
授权号 ：
CN210529111U
授权日 ：
2020-05-15
发明人 ：
张新峰王炜
申请人 ：
江苏卓远半导体有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市如皋高新区城南街道电信东一路6号
代理机构 ：
成都明涛智创专利代理有限公司
代理人 ：
丁国勇
优先权 ：
CN201921543668.5
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/36 B08B9/093
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2020-05-15 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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