一种适用于多尺寸晶体生长的热场设备及方法
授权
摘要
本发明涉及一种晶体生长的热场设备及方法，属于晶体制备领域。解决晶体生长尺寸单一，效率低难量产的问题。包括冷却保护系统、抽真空系统、仪表控制系统、工艺供气系统、坩埚升降系统、热场保温系统、感应加热系统、红外检测系统、感应加热升降系统、电源高频加热系统、空调系统和供电系统，热场保温系统下侧安装坩埚升降系统，热场保温系统外侧安装感应加热系统，热场保温系统上侧安装红外检测系统，热场保温系统与冷却保护系统连接，抽真空系统与热场保温系统和工艺供气系统连接，热场保温系统和工艺供气系统与仪表控制系统连接，电源高频加热系统与仪表控制系统连接，感应加热升降系统与感应加热系统连接。能根据不同尺寸的长晶要求制备晶体。
基本信息
专利标题 ：
一种适用于多尺寸晶体生长的热场设备及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112176401A
申请号 ：
CN202011109662.4
公开（公告）日 ：
2021-01-05
申请日 ：
2020-10-16
授权号 ：
CN112176401B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
不公告发明人
申请人 ：
哈尔滨科友半导体产业装备与技术研究院有限公司
申请人地址 ：
黑龙江省哈尔滨市南岗区哈西大街与学府四道街交汇处第40栋-1-2层12号
代理机构 ：
哈尔滨市伟晨专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
陈润明
优先权 ：
CN202011109662.4
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/14 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2021-01-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20201016
申请日 : 20201016
2021-01-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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