用于晶体生长设备的坩埚升降机构和晶体生长设备
授权
摘要
本发明公开了一种用于晶体生长设备的坩埚升降机构和晶体生长设备，坩埚升降机构包括坩埚轴、称重组件和调节组件，坩埚适于安装在坩埚轴上，坩埚轴用于驱动坩埚上下移动和驱动坩埚绕坩埚轴的中心轴线转动，称重组件与坩埚轴配合，且用于称量坩埚轴上的承载重量并输出称重信息，调节组件连接坩埚轴和称重组件，且用于调整坩埚轴和称重组件在坩埚轴的轴向上的相互作用力。根据本发明的用于晶体生长设备的坩埚升降机构，具有良好的称量稳定性和准确性。
基本信息
专利标题 ：
用于晶体生长设备的坩埚升降机构和晶体生长设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112831830A
申请号 ：
CN202011629059.9
公开（公告）日 ：
2021-05-25
申请日 ：
2020-12-31
授权号 ：
CN112831830B
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
袁长路苗江涛
申请人 ：
徐州晶睿半导体装备科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张文姣
优先权 ：
CN202011629059.9
主分类号 ：
C30B15/30
IPC分类号 ：
C30B15/30 C30B15/28 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/30
转动或移动熔体或晶体的机构
法律状态
2022-05-10 ：
授权
2021-06-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/30
申请日 : 20201231
申请日 : 20201231
2021-05-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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