一种温梯法旋转坩埚晶体生长系统，包括晶体炉，坩埚及其支撑装置和温度控制装置，其中晶体炉包括炉体、发热体和炉膛；炉体从外到内依次包括外壳、保温棉层、保温砖层和耐火层；坩埚支撑装置包括升降台，位于升降台上的多个坩埚导向管支架和导向管支架上的坩埚导向管，与升降台连接的引下装置，与引下装置连接的升降电机和电源，导向管支架和导向管之间设置有紧固装置，坩埚置于坩埚导向管内；其中所述的坩埚支撑装置是可旋转多坩埚支撑装置，所述的耐火层高度为炉膛总高度的2/3－5/6；所述的发热体位于炉膛1/4－1/2高度处。本实用新型能促进晶体掺杂，并用使掺杂能够均匀。