一种耐高温的温梯法晶体生长装置
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明属于温梯法生长晶体装置的改进，包括坩埚、发热体和保温屏蔽装置。提供了一种锥形底中心有一籽晶槽尾部和圆锥筒壁的较理想的坩埚，发热体为矩形波状的板条式圆筒，其上半部有孔，下端与电极板相联，发热体上半部的温差由不同孔数和孔径来产生，下半部的温差由电极板的热传导来提供，保温屏蔽装置设计合理。该晶体生长装置热场稳定，控制简易，用于Nd:YAG晶体生长，已获得大尺寸优质的晶体。
基本信息
专利标题 ：
一种耐高温的温梯法晶体生长装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85100534A
申请号 ：
CN85100534.9
公开（公告）日 ：
1986-08-06
申请日 ：
1985-04-01
授权号 ：
CN85100534B
授权日 ：
1988-08-03
发明人 ：
周永宗
申请人 ：
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址 ：
上海市8211信箱
代理机构 ：
中国科学院上海专利事务所
代理人 ：
张泽纯
优先权 ：
CN85100534.9
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B11/00 H05B3/42
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
1993-07-28 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-07-05 ：
授权
1988-08-03 ：
审定
1986-08-06 ：
公开
1986-06-10 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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