用于晶体生长的多温区发热体
专利权的终止
摘要
一种多温区发热体，自下而上由三个发热元件组构成的圆筒形发热体：发热元件组A由在一直径为D的圆周上相对坚直地放置不接触的两半圆弧形发热瓦片组成；发热元件组B由八块圆弧形发热瓦片构成，任意两个瓦片为一组形成一个U形元件，四个U形元件彼此不接触地坚直地放置在所述的发热元件组A上；发热元件组C由十六块圆弧形发热瓦片构成，任意四个瓦片形成一个M形元件，四个M形元件彼此不接触坚直地置放在所述的发热元件组B上；发热元件组A的顶面与发热元件组B中两个相对的U形元件的底面相连，其余部分不接触；发热元件组B中任一个U形元件的两个顶面分别与发热元件组C中两个M形元件的相邻的两个瓦片的底面相连。
基本信息
专利标题 ：
用于晶体生长的多温区发热体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200720070245.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2007-05-25
授权号 ：
CN201043196Y
授权日 ：
2008-04-02
发明人 ：
李红军苏良碧徐军钱小波周国清
申请人 ：
中国科学院上海光学精密机械研究所
申请人地址 ：
201800上海市800－211邮政信箱
代理机构 ：
上海新天专利代理有限公司
代理人 ：
张泽纯
优先权 ：
CN200720070245.7
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B11/00 C30B15/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2010-09-01 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101005252005
IPC(主分类) : C30B 35/00
专利号 : ZL2007200702457
申请日 : 20070525
授权公告日 : 20080402
号牌文件序号 : 101005252005
IPC(主分类) : C30B 35/00
专利号 : ZL2007200702457
申请日 : 20070525
授权公告日 : 20080402
2008-04-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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