温梯法晶体生长系统
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种温梯法晶体生长系统，包括：晶体炉，坩埚及其升降装置，其中晶体炉包括炉体、发热体和炉膛；炉体从外到内依次包括外壳、保温棉层、保温砖层和耐火层，耐火层高度为炉膛总高度的2/3－5/6；发热体位于炉膛1/4－1/2高度处，炉膛为长方体，可以同时容纳多坩埚晶体生长。本实用新型能保证掺杂浓度，并且能够均匀掺杂，可广泛应用于晶体生长领域。
基本信息
专利标题 ：
温梯法晶体生长系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN200620162405.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2006-12-29
授权号 ：
CN200992591Y
授权日 ：
2007-12-19
发明人 ：
万尤宝
申请人 ：
万尤宝
申请人地址 ：
314001浙江省嘉兴市大树金港湾小区4栋604
代理机构 ：
上海开祺知识产权代理有限公司
代理人 ：
季良赳
优先权 ：
CN200620162405.6
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2011-03-16 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101056291224
IPC(主分类) : C30B 11/00
专利号 : ZL2006201624056
申请日 : 20061229
授权公告日 : 20071219
终止日期 : 20100129
号牌文件序号 : 101056291224
IPC(主分类) : C30B 11/00
专利号 : ZL2006201624056
申请日 : 20061229
授权公告日 : 20071219
终止日期 : 20100129
2008-01-02 ：
专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 万尤宝
变更后权利人 : 嘉兴学院
变更事项 : 地址
变更前 : 浙江省嘉兴市大树金港湾小区4栋604,邮编 : 314001
变更后 : 浙江省嘉兴市越秀南路56号,邮编 : 314001
登记生效日 : 20071123
变更前权利人 : 万尤宝
变更后权利人 : 嘉兴学院
变更事项 : 地址
变更前 : 浙江省嘉兴市大树金港湾小区4栋604,邮编 : 314001
变更后 : 浙江省嘉兴市越秀南路56号,邮编 : 314001
登记生效日 : 20071123
2007-12-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
CN200992591Y.PDF
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