晶体生长原料处理系统
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种晶体生长原料处理系统,它包括由炉壳、保温砖炉壁、置于炉壁内的发热体、炉膛和炉门组成的加热炉,与加热炉电连接的温控装置,置于炉膛内的带密封盖的化料坩埚,以及坩埚支撑架,化料坩埚底部下部设置的与化料坩埚一体的下料管,下料管上的开关和开关旋杆,以及坩埚支撑架上的上部与化料坩埚下料管能够自然紧密配合的生长坩埚。该系统主要应用于晶体生长原料处理。

基本信息
专利标题 :
晶体生长原料处理系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620045840.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-09-15
授权号 :
CN200961153Y
授权日 :
2007-10-17
发明人 :
万尤宝刘俊星
申请人 :
嘉兴学院;嘉兴市晶英光电子技术有限公司
申请人地址 :
314001浙江省嘉兴市越秀南路56号
代理机构 :
上海开祺知识产权代理有限公司
代理人 :
李兰英
优先权 :
CN200620045840.0
主分类号 :
C30B11/00
IPC分类号 :
C30B11/00  C30B29/32  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长,例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2010-12-01 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101020688077
IPC(主分类) : C30B 11/00
专利号 : ZL2006200458400
申请日 : 20060915
授权公告日 : 20071017
终止日期 : 20091015
2007-10-17 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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