一种晶体生长用加热系统
授权
摘要
本实用新型涉及晶体生长技术领域,且公开了一种晶体生长用加热系统,包括底板,所述底板的顶部固定连接有限位支杆,所述限位支杆远离底板的一端固定连接有顶板,所述限位支杆的外部活动连接有滑块,所述滑块的内侧和固定套的外侧固定连接,所述固定套的内部固定连接有导管,所述导管远离固定套一端的外部固定安装有控制阀,所述控制阀的外部固定安装有控制器。该晶体生长用加热系统,通过启动驱动电机带动传动轮旋转使活动限位杆上下移动,从而改变导管的出气范围,增加热气进入的效率,在热气进入晶体生长炉时,温度检测器通过检测导管对热气的传导进行温度检测,并将检测到的温度传输到控制器上进行显示。
基本信息
专利标题 :
一种晶体生长用加热系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021076544.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-10
授权号 :
CN213172675U
授权日 :
2021-05-11
发明人 :
马争荣王建玲
申请人 :
高密普特电子设备有限公司
申请人地址 :
山东省潍坊市高密市高新技术产业开发区第二孵化器
代理机构 :
济南诚智商标专利事务所有限公司
代理人 :
殷盛江
优先权 :
CN202021076544.3
主分类号 :
C30B15/14
IPC分类号 :
C30B15/14 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2021-05-11 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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