一种晶体生长用加热系统
授权
摘要
本实用新型涉及晶体生长炉技术领域,且公开了一种晶体生长用加热系统,包括固定板,所述固定板的顶部固定连接有限位导轨,所述限位导轨的顶部活动连接有滑块,所述滑块的顶部固定连接有活动板,所述固定板的顶部固定连接有位于限位导轨左侧的固定座,所述固定座的顶部固定安装有驱动电机,所述驱动电机输出轴的外部固定连接有传动齿轮。该晶体生长用加热系统,通过控制控制阀使两个分流管和进气管连通,双向加热提高效率,还可以启动驱动电机带动支撑板旋转,活动板和晶体生长炉悬吊装置同步旋转,加强对晶体某一个面的加热温度,反之使加热气体快速对晶体表面进行加热,减少晶体旋转过程中热量的损耗。
基本信息
专利标题 :
一种晶体生长用加热系统
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202021094568.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-06-12
授权号 :
CN213203274U
授权日 :
2021-05-14
发明人 :
马争荣王建玲
申请人 :
高密普特电子设备有限公司
申请人地址 :
山东省潍坊市高密市高新技术产业开发区第二孵化器
代理机构 :
济南诚智商标专利事务所有限公司
代理人 :
殷盛江
优先权 :
CN202021094568.1
主分类号 :
C30B15/14
IPC分类号 :
C30B15/14 C30B15/20 C30B15/30 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2021-05-14 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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