晶体生长提拉装置及晶体生长炉
授权
摘要
本申请涉及晶体制造技术领域，尤其是涉及一种晶体生长提拉装置及晶体生长炉，晶体生长提拉装置包括：旋转机构，旋转机构的输出端连接有杆构件；称重机构，设置于旋转机构的固定部；称重机构包括两个或更多个称重构件。本申请提供的晶体生长提拉装置显著提高了晶体重量测量结果的准确性，并且能够较大程度上规避晶体旋转时产生的切向力对测量结果产生的影响，并且测量结果作为控制信息，能够避免对晶体在自动化生长产生影响，从而确保晶体的生长质量。
基本信息
专利标题 ：
晶体生长提拉装置及晶体生长炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021383410.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-14
授权号 ：
CN212533194U
授权日 ：
2021-02-12
发明人 ：
赖维明杨勇龚四均
申请人 ：
成都东骏激光股份有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市蒲江县鹤山镇工业开发区
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
汪喆
优先权 ：
CN202021383410.6
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/20
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-02-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN212533194U.PDF
PDF下载
