电阻加热钼坩埚提拉法激光晶体生长装置
专利权的终止
摘要

本实用新型公开了一种电阻加热钼坩埚提拉法激光晶体生长装置,属于激光晶体结晶工艺学领域;包括通过氧化铝垫片连接电极板的托盘,以及置于托盘上的钼侧保温屏,钼侧保温屏上端设有钼上保温屏,钼侧保温屏内侧装有电阻加热器,钼埚托通过连接体与电极板连接,钼埚托的外侧罩有钼台罩,钼埚托上设有钼坩埚,钼坩埚内装有熔体,电阻加热器设置在钼坩埚的周围,电阻加热器和钼侧保温屏之间还设有内屏蔽筒,钼坩埚上方设有钼籽晶杆,钼籽晶杆下端装有籽晶,籽晶下端位于熔体上方,且钼籽晶杆、籽晶均位于钼上保温屏的内侧;本实用新型具有结构简单、温场稳定、投入小,可实现高浓度的无核心、无位错、无散射的激光晶体生长,并且生长周期短、晶体成品率高(>95%)、生长成本低。

基本信息
专利标题 :
电阻加热钼坩埚提拉法激光晶体生长装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820063601.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-05-30
授权号 :
CN201201983Y
授权日 :
2009-03-04
发明人 :
周世斌汤海涛王国强叶茂
申请人 :
成都东骏激光有限责任公司
申请人地址 :
611630四川省成都市蒲江县生态工业园兴隆路17号
代理机构 :
成都九鼎天元知识产权代理有限公司
代理人 :
吴彦峰
优先权 :
CN200820063601.7
主分类号 :
C30B15/18
IPC分类号 :
C30B15/18  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
C30B15/18
除其他加热方法以外用直接电阻加热法,例如使用珀尔帖加热的
法律状态
2018-06-22 :
专利权的终止
专利权有效期届满IPC(主分类) : C30B 15/18
申请日 : 20080530
授权公告日 : 20090304
2010-07-28 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101003592891
IPC(主分类) : C30B 15/18
专利号 : ZL2008200636017
变更事项 : 专利权人
变更前 : 成都东骏激光有限责任公司
变更后 : 成都东骏激光股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 611630 四川省成都市蒲江县生态工业园兴隆路17号
变更后 : 611630 四川省成都市蒲江县鹤山镇工业开发区
2009-03-04 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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