本实用新型公开了一种多坩埚下降法晶体生长系统，它包括：晶体炉、坩埚及其支撑装置，其中晶体炉包括炉体，炉膛和发热体；坩埚支撑装置包括升降台，位于升降台上的坩埚导向管支架和导向管支架上的坩埚导向管，与升降台连接的引下装置，与引下装置连接的升降电机和电源，其中导向管支架和导向管之间设置有紧固装置，坩埚置于坩埚导向管内；其中的坩埚支撑装置是可旋转多坩埚支撑装置。采用本实用新型可以有效提高生长晶体的质量，而且可以生长出高质量的掺杂晶体，同时还能够生长获得现有多坩埚下降生长技术很难获得的圆形晶体。