晶体生长坩埚
授权
摘要
一种由氮化硼制成的晶体生长坩埚(1)，包括：用于容纳籽晶晶体的柱形尖端部分(3)，以及用于生长晶体的柱形直体部分(5)，该直体部分形成在该尖端部分上并具有大于该尖端部分的直径。尖端部分的厚度T1和直体部分的厚度T2满足0.1mm≤T2＜T1≤5mm的条件，以及直体部分的内径D2和长度L2满足100mm＜D2和2＜L2/D2＜5的条件。
基本信息
专利标题 ：
晶体生长坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101018895A
申请号 ：
CN200680000827.6
公开（公告）日 ：
2007-08-15
申请日 ：
2006-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
羽木良明
申请人 ：
住友电气工业株式会社
申请人地址 ：
日本大阪府
代理机构 ：
中原信达知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
林宇清
优先权 ：
CN200680000827.6
主分类号 ：
C30B11/00
IPC分类号 ：
C30B11/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B11/00
正常凝固法或温度梯度凝固法的单晶生长，例如晶体生长坩埚下降法Bridgman-Stockbarger法
法律状态
2009-08-12 ：
授权
2007-10-10 ：
实质审查的生效
2007-08-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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