晶体生长的石英坩埚镀碳膜装置
专利权的终止
摘要

一种晶体生长的石英坩埚镀碳膜装置,包括加热炉、放置被镀膜石英坩埚的沉淀室和供气控制器。加热炉包括炉体、安装在炉体上的加热元件和控温测温器,炉体的炉膛下部设置有用于安放沉淀室的支座;沉淀室包括一端开口的管状本体和封闭管状本体端口的塞子,所述塞子上插有与管状本体内孔相通的进气管和排气管;供气控制器包括输气管系和控制阀,所述输气管系含有两条分别与插入沉淀室管状本体的进气管和插入被镀膜石英坩埚的进气管连接的输气管,设置有甲烷气体进口和惰性保护气体进口,所述控制阀安装在输气管系的管路上,控制惰性保护气体进入沉淀室管状本体和被镀膜石英坩埚及控制甲烷气体进入被镀膜石英坩埚。

基本信息
专利标题 :
晶体生长的石英坩埚镀碳膜装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200620035962.1
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2006-10-23
授权号 :
CN200958115Y
授权日 :
2007-10-10
发明人 :
赵北君朱世富张建军何知宇陈宝军唐世红
申请人 :
四川大学
申请人地址 :
610065四川省成都市一环路南一段24号
代理机构 :
成都科海专利事务有限责任公司
代理人 :
黄幼陵
优先权 :
CN200620035962.1
主分类号 :
C23C16/26
IPC分类号 :
C23C16/26  C23C16/02  C23C16/56  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/26
仅沉积碳
法律状态
2011-01-05 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101029295994
IPC(主分类) : C23C 16/26
专利号 : ZL2006200359621
申请日 : 20061023
授权公告日 : 20071010
终止日期 : 20091123
2007-10-10 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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