蒸镀坩埚及蒸镀装置
实质审查的生效
摘要
本申请公开了一种蒸镀坩埚及蒸镀装置，所述蒸镀坩埚包括：坩埚主体；以及，第一导流板，所述第一导流板竖直设置在所述坩埚主体内并将所述坩埚主体划分为材料收容空间和导出空间，所述材料收容空间包括多个相互独立的材料收容室；其中所述第一导流板上具有导流结构，以将每一所述材料收容室的蒸汽导入所述导出空间内。本申请蒸镀坩埚及蒸镀装置能解决现有垂直蒸发源坩埚的蒸镀材料和蒸镀气流分布不均匀的问题。
基本信息
专利标题 ：
蒸镀坩埚及蒸镀装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114525474A
申请号 ：
CN202210229319.6
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蔡瀚霆
申请人 ：
武汉华星光电半导体显示技术有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区高新大道666号光谷生物创新园C5栋305室
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
唐秀萍
优先权 ：
CN202210229319.6
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/24
申请日 : 20220310
申请日 : 20220310
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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