蒸镀坩埚
授权
摘要
本公开实施例提供的蒸镀坩埚，涉及显示技术领域，蒸镀坩埚包括坩埚本体和盖板；所述坩埚本体包括底部、设置于所述底部周向上的侧壁以及设置于所述侧壁远离所述底部一端周向上的连接耳，所述底部和所述侧壁围成具有开口的容置腔，所述连接耳沿远离所述容置腔的方向延伸；所述盖板覆盖所述开口；其中，所述连接耳和所述盖板均具有磁性，所述连接耳与所述盖板磁吸连接。本公开实施例提供的蒸镀坩埚包括坩埚本体和盖板，通过将盖板和坩埚本体的连接耳设置为具有磁性的结构，利用盖板与连接耳的磁吸配合，增加盖板和连接耳之间的气密性，防止连接耳与盖板件间形成缝隙，减少蒸气泄露，提升显示效果。
基本信息
专利标题 ：
蒸镀坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021552711.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-30
授权号 ：
CN212404259U
授权日 ：
2021-01-26
发明人 ：
张小梅马立辉徐书云孙猛杜小波
申请人 ：
京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区酒仙桥路10号
代理机构 ：
北京安信方达知识产权代理有限公司
代理人 ：
解婷婷
优先权 ：
CN202021552711.7
主分类号 ：
C23C14/24
IPC分类号 ：
C23C14/24
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/24
真空蒸发
法律状态
2021-01-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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