全向多段加热控制的碲锌镉晶体生长炉及晶体生长方法
实质审查的生效
摘要

一种全向多段加热控制的碲锌镉晶体生长炉及晶体生长方法,包括晶体生长炉炉体、背景加热单元、不锈钢炉、生长坩埚、多段全向加热装置、支撑装置及温度控制器;晶体生长炉设置有夹层,夹层中沿竖直方向装有多个背景加热单元;在不锈钢炉的内腔放置供晶体生长的生长坩埚,该生长坩埚放置于支撑装置上并能够随支撑装置一起沿竖直方向运动;在不锈钢炉内腔壁位于晶体结晶位置处设置有呈水平环状的多段全向加热装置,多段全向加热装置实现碲锌镉晶体生长过程中固液界面全向温度均匀的精确控制,使得晶体生长单晶率得到提升。本发明采用分段全向加热装置,能够提供均匀的全向温场,提高了晶体生长过程中的温度稳定性,为制备大单晶提供了技术保障。

基本信息
专利标题 :
全向多段加热控制的碲锌镉晶体生长炉及晶体生长方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114481329A
申请号 :
CN202011157556.3
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2020-10-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
姜军陈少璠赵文庹梦寒袁绶章蔡春江赵增林刘永传唐清云姬荣斌
申请人 :
昆明物理研究所
申请人地址 :
云南省昆明市五华区教场东路31号
代理机构 :
昆明今威专利商标代理有限公司
代理人 :
赛晓刚
优先权 :
CN202011157556.3
主分类号 :
C30B29/48
IPC分类号 :
C30B29/48  C30B11/00  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/46
含硫、硒或碲的化合物
C30B29/48
AⅡBⅥ化合物
法律状态
2022-06-07 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 29/48
申请日 : 20201026
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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