冷却装置及其控制方法、晶体生长设备
公开
摘要
本发明公开了一种冷却装置及其控制方法、晶体生长设备，冷却装置用于晶体生长设备，且用于对晶体进行冷却，晶体的顶部具有晶冠，冷却装置包括第一冷却套和第二冷却套，第一冷却套适于与晶体生长设备的拉晶机构固定相连且罩设于晶冠上侧，第一冷却套的内壁面和晶体的表面间隔开，第二冷却套形成为筒状结构，且适于固设于晶体生长设备的炉体内，在冷却装置的横截面上，第二冷却套的正投影套设于第一冷却套的正投影外，第二冷却套用于在晶体的生长过程中对晶体的不同部分进行冷却，第一冷却套的轴向长度小于第二冷却套的轴向长度。根据本发明的冷却装置，有效保证晶体整个生长过程中的冷却需求，尤其是保证了晶体生长初期对晶冠的冷却需求。
基本信息
专利标题 ：
冷却装置及其控制方法、晶体生长设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114606566A
申请号 ：
CN202210112239.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-01-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王双丽陈俊宏
申请人 ：
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
吴婷
优先权 ：
CN202210112239.2
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B15/20
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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