冷却装置、晶体生长设备和晶体生长设备的控制方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种冷却装置、晶体生长设备和晶体生长设备的控制方法,其中冷却装置用于晶体生长设备,且用于对晶体进行冷却,晶体具有多个预设区域,每个预设区域对应一个预设温度区间,冷却装置包括:冷却套,冷却套适于套设于晶体外,且冷却套的内周壁与晶体的外周壁间隔开,冷却套包括多个沿冷却套的轴向依次设置的冷却段,每个冷却段用于对对应预设区域进行冷却,且每个冷却段内限定出气流通道和冷却液通道,气流通道具有出气口,出气口适于朝向晶体吹送冷却气体,冷却液通道内具有冷却液,冷却液用于调节气流通道内的冷却气体的温度。该冷却装置结构简单,制造成本低廉,并且能够提升晶体的品质。
基本信息
专利标题 :
冷却装置、晶体生长设备和晶体生长设备的控制方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114457409A
申请号 :
CN202111650923.8
公开(公告)日 :
2022-05-10
申请日 :
2021-12-30
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
黄末陈俊宏
申请人 :
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 :
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 :
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
黄德海
优先权 :
CN202111650923.8
主分类号 :
C30B15/00
IPC分类号 :
C30B15/00 C30B15/20 C30B28/10
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
法律状态
2022-05-27 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-10 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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