晶体生长炉的冷却装置和晶体生长炉组件
授权
摘要
本实用新型公开了一种晶体生长炉的冷却装置和晶体生长炉组件，晶体生长炉内限定出炉室，且包括炉体和炉盖，炉体具有敞口，炉盖可相对炉体运动以打开或关闭敞口，冷却装置包括排气罩和抽吸装置，排气罩适于罩设于炉体和炉盖的连接处，排气罩适于与炉体和炉盖分别密封配合，且适于与炉体和炉盖中的至少一个滑移配合，排气罩具有进气口和排气口，在炉盖打开敞口时，进气口和排气口通过炉室连通，抽吸装置与排气口连通以用于抽取炉室内的气体，以使冷却气体自进气口流入炉室。根据本实用新型的晶体生长炉的冷却装置，可以节省冷却时间，保证操作人员的安全。
基本信息
专利标题 ：
晶体生长炉的冷却装置和晶体生长炉组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122760550.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-11
授权号 ：
CN216514268U
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
黄末
申请人 ：
徐州鑫晶半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省徐州市经济技术开发区鑫芯路1号
代理机构 ：
北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
花丽
优先权 ：
CN202122760550.1
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 F27D9/00 F27D17/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-05-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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