一种晶体生长的原料预熔炉及氟化钙晶体原料预熔方法
公开
摘要
本发明公开了一种晶体生长的原料预熔炉及氟化钙晶体原料预熔方法，该原料预熔炉包括设置保温层的炉体，保温层围成保温腔；在保温腔中，挥发物收集桶安装到坩埚支架中部，若干坩埚单元安装到坩埚支架的挥发物收集桶周围，若干加热器安装到坩埚单元周围，坩埚单元上方安装能够上下移动的漂浮物捕捉器，漂浮物捕捉器上方安装圆顶状的导流罩；挥发物收集桶的桶口与炉体外的真空系统通过抽气管道连接，抽气管道依次穿过导流罩、保温层和炉体顶壁；导流罩下方的抽气管道开设若干抽气口，抽气口下端设置倾斜向上延伸的环状翻沿；反应气体和保护气体分别通过进气管入保温腔中。本发明的原料生长炉能够将原料预熔成多个小块料，使预熔料得到进一步提纯。
基本信息
专利标题 ：
一种晶体生长的原料预熔炉及氟化钙晶体原料预熔方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622284A
申请号 ：
CN202210195387.5
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-02
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘景峰
申请人 ：
四川奇峰景行光学科技有限公司
申请人地址 ：
四川省眉山市彭山区青龙镇龙都大道西段599号附1号(经济开发区)
代理机构 ：
北京中创阳光知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
耿昕
优先权 ：
CN202210195387.5
主分类号 ：
C30B35/00
IPC分类号 ：
C30B35/00 C30B29/12
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B35/00
未包括在其他分类位置中的专门适用于单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的生长、制备或后处理的装置
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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