用于高纯度三氧化二铝晶体生产的多级连熔炉
授权
摘要
本实用新型公开了用于高纯度三氧化二铝晶体生产的多级连熔炉,包括第一熔炉、第二熔炉和氮气发生器,所述第一熔炉通过支撑座固定安装在第二熔炉的顶部,所述支撑座的内部固定安装有第一加热器,所述第一熔炉与第二熔炉的内部分别开设有第一出气口与第二出气口,所述第二熔炉的底端两侧外壁上固定安装有安装底座与接料盘,所述安装底座上固定安装有侧安装板,且侧安装板的一侧外壁上固定安装有驱动电机,所述第二熔炉的后侧外壁上固定安装有安装板,且安装板上固定安装有氮气发生器;本实用新型通过计为由两个熔炉组成,原料可分别进入双熔炉内进行多级连熔处理,相比于传统的单次熔融处理,有效提高了原料的熔融效果。
基本信息
专利标题 :
用于高纯度三氧化二铝晶体生产的多级连熔炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202022120805.3
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2020-09-24
授权号 :
CN213680975U
授权日 :
2021-07-13
发明人 :
孙启兵
申请人 :
东海县奥兰石英科技有限公司
申请人地址 :
江苏省连云港市东海县驼峰乡新区远东路21号
代理机构 :
连云港联创专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
刘刚
优先权 :
CN202022120805.3
主分类号 :
C30B29/20
IPC分类号 :
C30B29/20 C30B35/00 F27D7/06 F27D27/00
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/10
无机化合物或组合物
C30B29/16
氧化物
C30B29/20
铝的氧化物
法律状态
2021-07-13 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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